电压 - 集射极击穿(最大值):
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
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DTC143XMT2L Rohm Semiconductor
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DTC123EM3T5G ON Semiconductor
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DTC123EM3T5G ON Semiconductor
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DTA143ZM3T5G ON Semiconductor
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DTA143ZM3T5G ON Semiconductor
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RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
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FJN4305RTA ON Semiconductor
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FJN4305RTA ON Semiconductor
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RN2303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
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SMUN5213T1G ON Semiconductor
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SMUN5213T1G ON Semiconductor
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SMUN5213T1G ON Semiconductor
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RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
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