供应商器件封装:
电流 - 集电极(Ic)(最大值):
功率 - 最大值:
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
频率 - 跃迁:
电阻器 - 发射极基底(R2):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
RN2119MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage
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1 3,000 加入购物车 提交询价
BCR573E6327HTSA1 Infineon Technologies
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PDTB113ZT,215 Nexperia USA Inc.
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