封装/外壳:
供应商器件封装:
电流 - 集电极截止(最大值):
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
频率 - 跃迁:
电阻器 - 发射极基底(R2):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
RN2118MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage
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