供应商器件封装:
功率 - 最大值:
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
频率 - 跃迁:
电阻器 - 发射极基底(R2):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PN...
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1 2,565 提交询价
RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NP...
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1 7,849 提交询价
RN1107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NP...
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1 5,555 提交询价
RN1102,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NP...
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1 2,892 提交询价
RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NP...
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1 11,856 提交询价
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