功率 - 最大值:
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
频率 - 跃迁:
电阻器 - 发射极基底(R2):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
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DTA114EUA-TP Micro Commercial Co
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DDTA114EUA-7-F Diodes Incorporated
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DTA114WUAT106 Rohm Semiconductor
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SMUN5114T1G ON Semiconductor
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SMUN5111T1G ON Semiconductor
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MUN5114T1G ON Semiconductor
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