封装/外壳:
供应商器件封装:
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
频率 - 跃迁:
电阻器 - 基底(R1):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
DDTC124XE-7-F Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NP...
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RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
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DDTA143ZE-7-F Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PN...
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DDTA123JE-7-F Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PN...
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