供应商器件封装:
电压 - 集射极击穿(最大值):
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
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MJD31CRL ON Semiconductor
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KSH31TF ON Semiconductor
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KSH31CTM ON Semiconductor
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MJD31CTF_SBDD001A ON Semiconductor
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MJD31CTF_NBDD001 ON Semiconductor
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NJVMJD31CRLG ON Semiconductor
TRANS NPN 100V 3A D...
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MJD31CTF ON Semiconductor
TRANS NPN 100V 3A D...
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MJD31CTF ON Semiconductor
TRANS NPN 100V 3A D...
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MJD31CTF ON Semiconductor
TRANS NPN 100V 3A D...
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NJVMJD31CT4G ON Semiconductor
TRANS NPN 100V 3A D...
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NJVMJD31CT4G ON Semiconductor
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NJVMJD31CT4G ON Semiconductor
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NJVMJD31T4G ON Semiconductor
TRANS NPN 40V 3A DP...
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MJD31CT4 ON Semiconductor
TRANS NPN 100V 3A D...
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MJD31CT4 ON Semiconductor
TRANS NPN 100V 3A D...
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MJD31T4G ON Semiconductor
TRANS NPN 40V 3A DP...
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MJD31T4G ON Semiconductor
TRANS NPN 40V 3A DP...
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MJD31T4G ON Semiconductor
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MJD31CG ON Semiconductor
TRANS NPN 100V 3A D...
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NJVMJD31CG ON Semiconductor
TRANS NPN 100V 3A D...
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