供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 11A...
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1 139 提交询价
SIZ320DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET 2 N-CHANNE...
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1 5,860 提交询价
SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 30A...
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1 9,000 提交询价
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