晶体管 - FET，MOSFET - 单

技术：

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	SCT3080KLGC11	Rohm Semiconductor	MOSFET NCH 1.2KV 31...		¥144.19	1	2,765	加入购物车提交询价
	SCT3080ALGC11	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 30A...		¥78.15	1	1,122	加入购物车提交询价

1 / 1 页共 2 条