功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IXTT12N150HV IXYS
MOSFET N-CH 1.5KV 1...
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IXTT20N50D IXYS
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IXTT12N150 IXYS
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IXTT4N150HV IXYS
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