供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SQJ464EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 32A...
¥7.67
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PSMN017-30BL,118 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 32A...
¥6.88
1 1,900 加入购物车 提交询价
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