供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
PSMN2R4-30YLDX Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A...
¥7.19
1 6,878 加入购物车 提交询价
PSMN2R2-25YLC,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A...
¥7.04
1 10,444 加入购物车 提交询价
PSMN2R4-30MLDX Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A...
¥6.01
1 11,136 加入购物车 提交询价
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