功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SQS850EN-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 12A...
¥6.96
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SQ7414AENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
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¥7.67
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SQ7415AENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
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¥7.43
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