- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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46 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 0.25... |
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1 | 2,762 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 0.25... |
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1 | 2,308 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MIDDLE POWER MOS... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 45V 7A ... |
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1 | 249 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 7A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3A ... |
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1 | 2,043 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 40A... |
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1 | 631 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | 4V DRIVE NCH MOSF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 15A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | RD3P200SN IS A POWE... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | 4V DRIVE NCH MOSF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | RQ6E045SN IS THE LO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | RQ5P010SN IS A MOSF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | RQ5E025SP IS A SMAL... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | RQ5L020SN IS A MOSF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | RQ5E020SP IS A SMAL... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | RQ6E040XN IS THE LO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | RQ5E015RP IS A SMAL... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 25A... |
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1 | 1,826 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | NCH 100V 5A POWER M... |
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1 | 1,661 | 提交询价 |
