功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
RRH090P03GZETB Rohm Semiconductor
MIDDLE POWER MOS...
-
1 580 提交询价
RSH070N05GZETB Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 45V 7A ...
-
1 249 提交询价
RXH070N03TB1 Rohm Semiconductor
4V DRIVE NCH MOSF...
-
1 580 提交询价
RRH140P03GZETB Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 14A...
-
1 1,845 提交询价
RRH100P03GZETB Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 10A...
-
1 3,295 提交询价
RS3E075ATTB Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7.5A...
-
1 4,221 提交询价
1 / 1 页 共 6 条