- 品牌：
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- Texas Instruments (12)
- Vishay Siliconix (2)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.9A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.9A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 6A ... |
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1 | 2,980 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 6A ... |
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1 | 2,980 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 6A ... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL... |
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1 | 11,157 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL... |
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1 | 11,157 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL... |
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3,000 | 9,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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1 | 28,642 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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1 | 28,642 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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10,000 | 20,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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1 | 28,902 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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1 | 28,902 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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10,000 | 20,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5A |
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1 | 2,882 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5A |
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1 | 2,882 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5A |
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250 | 2,500 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
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1 | 15,745 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
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1 | 15,745 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
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3,000 | 12,000 | 加入购物车 提交询价 |
