- 品牌：
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- Diodes Incorporated (147)
- Micro Commercial Co (12)
- Nexperia USA Inc. (60)
- ON Semiconductor (73)
- Rohm Semiconductor (39)
- Vishay Siliconix (113)
- 系列：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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594 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.6A... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.76... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 4.1A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 160M... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V DF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CHANNEL... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.9A... |
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3,000 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.5A... |
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3,000 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.9A... |
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10,000 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 6A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A... |
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4,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 17A... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.6A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 15A... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Torex Semiconductor Ltd | MOSFET P-CH 20V 700M... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Torex Semiconductor Ltd | MOSFET N-CH 20V 1A ... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CHANNEL... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V3... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 |
