- 品牌：
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- Diodes Incorporated (12)
- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V3... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 18A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 18A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 24V 70A... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 24V 70A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V-2... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V-2... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 40A... |
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5,000 | 5,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 18.1... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V3... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 30V N-CHANNEL MOSF... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 13A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 49A... |
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4,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 18.1... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | RQ3E110AJ IS LOW ON... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 60A... |
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5,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 18A... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 13A... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 30V N-CHANNEL MOSF... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 76A... |
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2,500 | 332,500 | 加入购物车 提交询价 |
