供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI5406DC-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 6.9A...
-
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SI3460DV-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.1A...
¥13.28
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