- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.1A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 7.8A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 4A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.1A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.6A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 0.86A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 400M... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V SC... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 0.87... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 25A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 21.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 0.9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 31A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 25A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 6-TS... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3.2A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
