功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI1011X-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V SC...
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SI1032X-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 200M...
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SI1013X-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 350M...
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SI1012X-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 500M...
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SI1046X-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 0.60...
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