功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI5406DC-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 6.9A...
-
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SI5404BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.4A...
-
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SI5402DC-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.9A...
-
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SI5402DC-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.9A...
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SI5402BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.9A...
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SI5856DC-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4.4A...
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SI5406DC-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 6.9A...
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SI5402BDC-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.9A...
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SI5404BDC-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.4A...
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