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晶体管 - FET，MOSFET - 单
零件状态：
停產
(1)
在售
(2)
工作温度：
-
(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）
(2)
安装类型：
表面贴装
(2)
通孔
(1)
封装/外壳：
TO-247-3
(1)
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
(2)
供应商器件封装：
TO-247（IXTH）
(1)
TO-268
(2)
漏源电压（Vdss）：
1400V
(1)
1500V
(2)
Vgs（最大值）：
±20V
(1)
±30V
(2)
已选条件：
晶体管 - FET，MOSFET - 单
FET 类型 : N 沟道
功率耗散（最大值） : 890W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 2 欧姆 @ 6A，10V
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IXTT12N140
IXYS
MOSFET N-CH 1400V 12...
-
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IXTT12N150
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 12...
¥76.09
30
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IXTH12N150
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 12...
¥75.80
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IXTT12N140
IXYS
MOSFET N-CH 1400V 12A TO268
库存 : 580
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IXTT12N150
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268
库存 : 580
¥76.09
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IXTH12N150
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
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