- 系列：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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IXYS | POWER MOSFET TO-3 |
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IXYS-RF | 2A 1000V MOSFET IN S... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS-RF | MOSFET N-CH 1000V 12... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS-RF | MOSFET N-CH 1000V 12... |
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1 | 43 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12... |
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1 | 202 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12A... |
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1 | 1,729 | 加入购物车 提交询价 |
