系列:
安装类型:
封装/外壳:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
RJK5012DPE-00#J3 Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A...
-
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RJK4512DPE-00#J3 Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 450V 14A...
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TK25E06K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 25A...
¥7.35
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