- 品牌:
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- 封装/外壳:
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- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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7 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 9.3... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
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1 | 1,904 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
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1 | 1,880 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10A... |
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1 | 1,509 | 提交询价 | |||
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CHANNEL... |
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1 | 3,780 | 提交询价 |