- 封装/外壳：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4V... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | COOLMOS P7 800V SOT... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
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1 | 26 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET TO263-3 |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON |
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1 | 2,943 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 12A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON |
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1 | 1 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 14A... |
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1 | 515 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 6A... |
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1 | 2,418 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 7A... |
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1 | 2,315 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A... |
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1 | 1,413 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
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1 | 2,480 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4.5... |
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1 | 2,480 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
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1 | 2,490 | 提交询价 |
