驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SPD50N03S207GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A...
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SPD30N03S2L20GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A...
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IPD90R1K2C3BTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1...
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IPD65R380E6BTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10....
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IPD60R600CPBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1...
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IPD60R520CPBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8...
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IPD60R520C6BTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1...
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IPD530N15N3GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A...
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IPD250N06N3GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A...
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IPD122N10N3GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A...
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IPD053N06N3GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A...
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IPD038N04NGBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A...
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IPD50R380CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 9.9...
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IPD50R500CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6...
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IPD50R650CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1...
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IPD50R800CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A...
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IPD50R950CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3...
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IPD60R380P6BTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3T...
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IPD65R380C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10....
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IPD60R520C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1...
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