零件状态:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPD053N06N3GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A...
-
1 580 提交询价
IPD03N03LB G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A...
-
1 580 提交询价
IPD048N06L3GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A...
-
1 2,124 提交询价
IPD03N03LA G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A...
-
1 1,070 提交询价
IPD04N03LB G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A...
-
1 1,211 提交询价
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