- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
13 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 67A... |
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1 | 9 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MV POWER MOS |
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1 | 1 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 27A... |
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1 | 1,490 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A |
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1 | 1,534 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A... |
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1 | 4,338 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A... |
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1 | 4,494 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 50A... |
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1 | 2,786 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A... |
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1 | 2,719 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A... |
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1 | 4,741 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A... |
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1 | 8,475 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A |
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1 | 9,445 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 30A... |
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1 | 28,373 | 提交询价 |