零件状态:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPD180N10N3GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A...
-
1 580 提交询价
IPD180N10N3GATMA1 Infineon Technologies
MV POWER MOS
-
1 1 提交询价
IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A
-
1 170 提交询价
1 / 1 页 共 3 条