- 系列:
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- 零件状态:
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- 功率耗散(最大值):
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- 漏源电压(Vdss):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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176 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.2... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.1... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 6.1... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6.2... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.5... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.8... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 0.8... |
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