- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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13 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 9.9... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 7.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 6.1... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.3... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.1... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 2.3... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 5.7... |
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1 | 2,117 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 1.7... |
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1 | 769 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 1.7... |
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1 | 1,794 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7A... |
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1 | 2,500 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.9... |
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1 | 14,000 | 提交询价 |