零件状态:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SPD02N80C3BTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A...
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1 580 提交询价
SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A...
-
1 2,336 提交询价
IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A...
-
1 3,861 提交询价
IPD80R2K8CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9...
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1 14,000 提交询价
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