零件状态:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPD25CN10NGBUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A...
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1 580 提交询价
IPD180N10N3GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A...
-
1 580 提交询价
IPD180N10N3GATMA1 Infineon Technologies
MV POWER MOS
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1 1 提交询价
IPD35N12S3L24ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 35A...
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1 8,258 提交询价
IPD25CN10NGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A...
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1 4,338 提交询价
IPD088N06N3GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A...
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1 29,535 提交询价
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A...
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1 4,741 提交询价
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