漏源电压(Vdss):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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IPD65R380E6BTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10....
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IPD65R380C6ATMA1 Infineon Technologies
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