零件状态:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPD144N06NGBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A...
-
1 580 提交询价
IPD30N06S2-15 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A...
-
1 47 提交询价
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A...
-
1 580 提交询价
IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A...
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1 2,480 提交询价
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