功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPD65R600E6BTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3...
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IPD60R600C6BTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3...
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IPD65R600C6BTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3...
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IPD60R600E6 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3...
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IPD65R650CEAUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7A...
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IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3...
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