- 品牌：
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- ON Semiconductor (10)
- STMicroelectronics (21)
- Vishay Siliconix (7)
- 系列：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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76 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 10A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.26... |
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1 | 3 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | SF3 650V 125MOHM MOS... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | NCHANNEL 650 V 0.094 ... |
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1 | 98 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | SUPERFET3 650V PQF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 44A... |
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1 | 1,854 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
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1 | 884 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | SUPERFET3 650V PQF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 35A... |
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1 | 749 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7A... |
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1 | 653 | 提交询价 |
