晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	IPB60R060C7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 35A...		-	1	749	提交询价
	IPB60R060P7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO263-3		-	1	1,696	提交询价

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