功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
FET 功能:
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IPD60R950C6 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4...
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IPD65R950C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
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IPD65R950CFDATMA2 Infineon Technologies
LOW POWER_LEGACY
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MOSFET N-CH 700V 7.4...
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