功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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IPD60R3K3C6 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.7...
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IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.6...
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IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies
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