- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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100 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 0.17... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 330M... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 330M... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 330M... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 150M... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 170M... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 0.3... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 620M... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 1A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 15A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.17... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.17... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 150M... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 150M... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 150M... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 170M... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 170M... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 170M... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.2... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.2... |
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