- 品牌：
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- Diodes Incorporated (10)
- ON Semiconductor (10)
- 封装/外壳：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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28 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CHANNEL... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 8A ... |
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5,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V-... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V-... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 3.4A... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | PMT200EPE/SOT223/SC... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V ... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.4A... |
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1 | 1,783 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.4A... |
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1 | 1,783 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.4A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V ... |
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1 | 10,074 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V ... |
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1 | 10,074 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V ... |
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3,000 | 9,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 8A ... |
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1 | 4,941 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 8A ... |
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1 | 4,941 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 8A ... |
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5,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 8A ... |
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1 | 11,050 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 8A ... |
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1 | 11,050 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 8A ... |
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1,500 | 10,500 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 8A ... |
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1 | 3,066 | 提交询价 |
