零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI5429DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A...
-
1 580 提交询价
SI5429DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A...
-
1 580 提交询价
SI4435DY Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
-
1 580 提交询价
SI4435DYTR Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
-
1 580 提交询价
SI4435DYPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
-
1 580 提交询价
SI4435DYTRPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
-
1 16,403 提交询价
SI4435DYTRPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
¥7.19
1 16,403 加入购物车 提交询价
SI4435DYTRPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
¥2.96
4,000 16,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 8 条