- 品牌:
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- IXYS (19)
- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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26 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.... |
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 1000V 5A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.... |
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1 | 23 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 1000V 2.... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 1000V 2.... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 1000V 2.... |
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5,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 1000V 2A... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.... |
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1 | 843 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.... |
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1 | 659 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 1000V 80... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.... |
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1 | 194 | 加入购物车 提交询价 |