- 品牌：
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- Vishay Siliconix (1)
- 封装/外壳：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 16A T... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 15A T... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 8A T... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 7A T... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 4A T... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 4A T... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 22A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
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1 | 1,000 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
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1 | 1,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 650V 300... |
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1 | 912 | 提交询价 | ||
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 650V 300... |
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1 | 912 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 650V 300... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 1.2 ... |
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1 | 995 | 加入购物车 提交询价 |
