零件状态:
供应商器件封装:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SISA18DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38.3...
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MOSFET N-CH 30V 38.3...
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SIRA34DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A...
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SIRA34DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A...
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SIRA34DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A...
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SIS322DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38.3...
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SIS322DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38.3...
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SIS322DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38.3...
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SIRA18DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 33A...
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SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 33A...
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SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 33A...
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SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 33A...
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SISA18ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38.3...
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SISA18ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38.3...
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SISA18ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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