供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
RS3E135BNGZETB Rohm Semiconductor
MOSFET N-CHANNEL...
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RQ6E085BNTCR Rohm Semiconductor
NCH 30V 8.5A MIDDLE...
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RS3E095BNGZETB Rohm Semiconductor
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RS3E095BNGZETB Rohm Semiconductor
MOSFET N-CHANNEL...
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