- 品牌：
-
- ON Semiconductor (6)
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
- FET 功能：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 11.5... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 11.5... |
-
|
1 | 524 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 11.5... |
|
1 | 524 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 11.5... |
|
2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 9.8A... |
|
4,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOS... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOS... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOS... |
|
5,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | PSMN1R6-30MLH/SOT12... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | PSMN1R6-30MLH/SOT12... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | PSMN1R6-30MLH/SOT12... |
|
1,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A... |
-
|
1 | 1,628 | 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A... |
|
1 | 1,628 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A... |
|
2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 18A... |
-
|
1 | 10,771 | 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 18A... |
|
1 | 10,771 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 18A... |
|
2,500 | 5,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 30V 168A... |
-
|
1 | 4,850 | 提交询价 | ||
|
|
Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 30V 168A... |
|
1 | 4,850 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 30V 168A... |
|
2,500 | 2,500 | 加入购物车 提交询价 |
